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    uthor:(J·约德伏斯基

      发布时间:2018-03-20 02:43

      兹描述用于处理半导体晶圆,使晶圆于处理期间仍保持在适当位置的装置和方法。晶圆受到顶表面与底表面间的压差作用,因而有足够的力防止晶圆于处理时移动。

      本发明涉及一种用以加热半导体处理腔室的设备与方法。本发明的一实施例提供一种用以加热半导体处理腔室(205)的熔炉。该熔炉包含:加热器(202),该加热器(202)围绕该半导体处理腔室的多个侧壁,其中该加热器(202)包含多个加热元件(220),这些加热元件(220)在...

      本发明提供包括旋转轮的原子层沉积设备及方法,所述旋转轮具有多个基板载体,所述原子层沉积设备及方法用于连续处理基板。处理腔室在前端上可具有载入站,所述载入站被配置成具有一个或更多个机械手臂以从基板载体载入及卸载基板,无需停止旋转轮。

      提供的是包括气体分配板的原子层沉积设备和方法,气体分配板包括多个细长的气口,气口具有沿着气体分配板的外部长度延伸的气帘。还提供的是包括气体分配板的原子层沉积设备和方法,气体分配板具有多个细长的气口,气口具有气帘。

      本发明的态样包含用于批处理基材的方法与设备。在一实施例中,一压缩晶舟是配置用以降低一批式处理室中的泵气容积(pumping?volume)。该压缩晶舟包含一固定式晶舟与一活动式晶舟,其各自可独立地装载或卸载基材。该活动式晶舟与该固定式晶舟可相互交错穿插...

      本发明提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法,所述气体分配板包含至少一个气体喷射器单元。每一气体喷射器单元包含多个狭长气体喷射器,所述多个狭长气体喷射器包括至少两个第一反应气体喷射器及至少一个第二反应气体喷射器,所述至少两个第一反应气...

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